性別：

男

學歷學位：

研究生/博士

職稱：

教授

ss_zhangchw@ujn.edu.cn

崗位榮譽稱號：

泰山學者特聘專家

（一）個人簡介：

教授，博士生導師。山東省泰山學者特聘專家，山東省優秀碩士論文導師，濟南大學龍山學者特聘專家，《納米自旋電子學》科研團隊學科帶頭人，山東省研究生優質課程《凝聚態物理》負責人。主要從事自旋電子、物理材料與器件的研究工作，在磁性調控，光電效應，以及拓撲絕緣體等方面取得重要成果。發表130余篇SCI論文，被引用檢索2500余次，ESI高被引論文11篇，相關研究成果被寫入學術專著。主持國家自然科學基金等項目10余項。擔任國際著名期刊<<Nano. Lett. >>、<<Appl.   Phys. Lett.>>, <<Phys. Rev. B>>等審稿人，教育部學位與研究生教育發展中心通訊評議專家。 2018年獲山東省科學技術二等獎。

個人網址：http://www.nanospindevices.com  

（二）研究領域：

[1] 自旋電子、物理材料與器件。

[2] 強關聯材料與器件。

[3] 二維量子拓撲材料與器件。

[4] 新型光電器件設計及開發。

（三）承擔科研項目：

[1] 泰山學者人才工程計劃（ts20190939），2020.01-2024.12，泰山學者特聘專家，200萬。

[2] 山東省自然科學基金（ZR2018MA033）“二維拓撲絕緣體材料生長機理及量子性質調控研究”   2018.03-2021.06，項目負責人，15萬。

[3] 國家自然科學基金重點項目（11434006）“電場調控氧化物磁性異質結的記憶電阻、磁電阻和交換偏置“；2015.1－2019.12，骨干，360萬。

[4] 國家自然科學基金面上項目（11274143）“平面構型Si基納米材料的自旋極化及電子輸運性質研究“ ；2013.1－2016.12，項目負責人，86萬。

[5] 國家自然科學基金面上項目（61076088）“缺陷對SnO₂低維納米材料的磁性影響機理研究”；2011.1－2013.12，項目負責人，32萬。

[6] 山東省高等學校科技計劃項目（J10LA16）“缺陷對SnO₂低維納米材料的磁性影響機理研究”； 2011,1－2013,12，項目負責人，4.5 萬。

[7] 山東省優秀中青年科學家獎勵基金（BS2009CL012）“SnO₂基稀磁半導體的鐵磁性及居里溫度調控機理研究”；2009,12－2012,12，項目負責人，7.0萬。

[8] 國家自然科學基金專項基金（10847134）“SnO₂基稀磁半導體的磁性起源及其機理研究”; 2009.1－2009.12，項目負責人，2.0萬。

（四） 科研獎勵及榮譽：

[1] 2019年，山東省泰山學者特聘專家。

[2] 2018年，“二維拓撲絕緣體材料設計及量子性能調控”，山東省科學技術獎二等獎（首位完成人）。

[3] 2017：山東省優秀碩士論文“二維量子拓撲材料與器件設計”（張閏午）。
  [4]   2016：山東省優秀碩士論文 “硅基納米材料設計及其量子性質調控”（李勝世）。
  [5]   2014：山東省優秀碩士論文“類石墨烯納米材料的電子結構及磁性”（鄭福寶）。

（五）代表性論文：

[1] Two-dimensional   honeycomb-kagome Ta₂S₃: a promising single-spin Dirac   fermion and quantum anomalous hall insulator with half-metallic edge   states, L. Zhang, C. W. Zhang, S. F. Zhang, W. X. Ji, P. Li and P. J.   Wang, Nanoscale, 11, 4637 (2019).

[2] Robust half-metallicity   in transition metal tribromide nanowires，S.S. Li,   Y.P. Wang,   S. J. Hu,     D.Chen,   C.W. Zhang   and   S. S. Yan, Nanoscale,   2018,10, 15545-15552.

[3] Nontrivial topology   and topological phase transition in two-dimensional monolayer Tl, Zhang,   Wei-xiao Ji, Chang-wen Zhang, and Pei-ji Wang, Phys.Chem. Chem. Phys.,   20, 24790 (2018).

[4] Intrinsic Dirac   Half-Metal and Quantum Anomalous Hall Phase in Hexagonal Metal-Oxide Lattice, S.   J. Zhang, C. W. Zhang , S. F. Zhang, W. X. Ji, P. Li, P. J. Wang, S. S. Li,   and S. S. Yan, Phys. Rev. B 96, 205433 (2017).

[5] Effect of   Amidogen Functionalization on Quantum Spin Hall Effect in 2D Bi/Sb(111)   Films, S. S. Li, W. X. Ji, S. J. Hu, C. W. Zhang, and S. S. Yan, ACS   Appl. Mater. Inter., 9, 41443 (2017).

[6] First-principles   prediction on bismuthylene monolayer as a promising quantum   spin   Hall insulator, R. W. Zhang, C. W. Zhang, W. X. Ji, S. S. Yan and Y. G.   Yao, Nanoscale, 9, 8207 (2017).

[7] Tunability of the   Quantum Spin Hall Effect in Bi(110) Films: Effects of Electric Field and   Strain Engineering, S. S. Li, W. X. Ji, P. Li, S. J. Hu, L. Cai, C. W.   Zhang, and S. S. Yan, ACS Appl. Inte 9, 21515 (2017).

[8] Emergence of   ferrimagnetic half-metallicity in two-dimensional MXene   Mo3N2F2, Sheng-shi Li, Shu-jun Hu, Wei-xiao Ji, Ping Li, Kun Zhang,   Chang-wen Zhang, and Shi-shen Yan, Appl. Phys. Lett., 111, 202405   (2017).

[9] Discovery of   Intrinsic Quantum Anomalous Hall Effect in Two-dimensional Mn-DCA   Lattice, Y. P. Wang, W. X. Ji, C. W. Zhang, and K. Liang, Appl. Phys.   Lett., 110, 233107 (2017)

[10] Two-Dimensional   Arsenene Oxide: A Realistic Large-gap Quantum Spin Hall Insulator, Y. P.   Wang, W. X. Ji, C. W. Zhang, P. Li, S. F. Zhang, P. J. Wang, S. S. Li, and S.   S. Yan, Appl. Phys. Lett., 110, 213101 (2017).

[11] Large-gap   Quantum Spin Hall State in Functionalized Dumbbell Stanene, Ya-ping   Wang, Chang-wen Zhang, Wei-Xiao Ji, Ping Li, Pei-ji Wang, Sheng-shi   Li, Shi-Shen Yan, Appl. Phys. Lett., 108,073104 (2016).

[12] First-principles   study on ferromagnetism in Mg-doped SnO_2, C. W. Zhang   and S. S. Yan, App. Phys. Lett. 95, 232108 (2009).